Спосіб отримання термоелектричних наноструктур PBS
| dc.contributor.author | Галущак, М. О. | |
| dc.contributor.author | Фреїк, Д. М. | |
| dc.contributor.author | Борик, В. В. | |
| dc.contributor.author | Ткачук, А. І. | |
| dc.contributor.author | Карпаш, М. О. | |
| dc.date.accessioned | 2018-12-19T10:13:08Z | |
| dc.date.available | 2018-12-19T10:13:08Z | |
| dc.date.issued | 2011 | |
| dc.description.abstract | Спосіб отримання термоелектричних наноструктур PbS, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки PbS при температурі випаровування наважки Tв , осаджують на підкладку із свіжих сколів (001) кристалів КСl при температурі Тп , який відрізняється тим, що температура випарника складає Tв (97010) , температура підкладки - Тп (540 5)К , а товщина отриманих наноструктур - (18-22) нм. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Пат. 60221 U Україна, МПК B82B 3/00. Спосіб отримання термоелектричних наноструктур PBS / Галущак М. О., Фреїк Д. М., Борик В. В., Ткачук А. І., Карпаш М. О. ; заявник і патентовласник Івано-Франків. нац. техн. ун-т нафти і газу. - № u 201014821 ; заявлено 10.12.2010 ; опубл. 10.06.2011, Бюл. № 11. – 2 с. : іл. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | http://elar.nung.edu.ua/handle/123456789/6753 | |
| dc.language.iso | uk | uk_UA |
| dc.publisher | Державна служба інтелектуальної власності України | uk_UA |
| dc.title | Спосіб отримання термоелектричних наноструктур PBS | uk_UA |
| dc.type | Patent | uk_UA |