Спосіб отримання термоелектричних наноструктур PBS
Loading...
Files
Date
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Державна служба інтелектуальної власності України
Abstract
Спосіб отримання термоелектричних наноструктур PbS, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки PbS при температурі випаровування наважки Tв , осаджують на підкладку із свіжих сколів (001) кристалів КСl при температурі Тп , який відрізняється тим, що температура випарника складає Tв (97010) , температура підкладки - Тп (540 5)К , а товщина отриманих наноструктур - (18-22) нм.
Description
Keywords
Citation
Пат. 60221 U Україна, МПК B82B 3/00. Спосіб отримання термоелектричних наноструктур PBS / Галущак М. О., Фреїк Д. М., Борик В. В., Ткачук А. І., Карпаш М. О. ; заявник і патентовласник Івано-Франків. нац. техн. ун-т нафти і газу. - № u 201014821 ; заявлено 10.12.2010 ; опубл. 10.06.2011, Бюл. № 11. – 2 с. : іл.