Інформаційна технологія контролю перегріву рідкої фази у процесі зонної плавки кремнію

Abstract

Обґрунтована інформаційна технологія контролю та представлені експериментальні результати щодо перевищення температури поверхні рідкої фази над температурою плавлення кремнію. Представлені експериментальні графіки розподілу яскравості вздовж вертикальної осі кристалу на поверхні рідкої фази у сукупності послідовних виборок та побудовані відповідно до них графіки розподілу температури. Обґрунтовано аналітичний вираз для оцінки максимально можливого перегріву поверхні рідкої фази кремнію в ході плавки та отримане значення T=60 К, яке можна використати як верхню оцінку температури перегріву.Обоснована информационная технология контроля и представлены экспериментальные результаты по повышению температуры поверхности жидкой фазы над температурой плавления кремния. Представленные экспериментальные графики распределения яркости вдоль вертикальной оси кристалла на поверхности жидкой фазы в совокупности последовательных выборок и построены в соответствии с ними графики распределения температуры. Обоснованно аналитическое выражение для оценки максимально возможного перегрева поверхности жидкой фазы кремния в ходе плавки и полученное значение T = 60 К, которое можно использовать как верхнюю оценку температуры перегрева.The information technology of the evaluation along with the corresponding experimental results concerning the rise of the temperature of the liquid phase above the melting point of silicon, is substantiated. There are presented the experimental graphics of brightness distribution along the vertical axis of the crystal on the liquid surface in consecutive samples set. There are built the temperature distribution graphs according to the experimental graphics. There are grounded the analytical expression for the estimation of the maximum possible overheating of the liquid phase surface in the silicon melt and the resulting value T = 60 K, which can be used as an upper estimate temperature overheating.