Контроль температурного режиму електронно-променевої безтигельної зонної плавки кремнію

Abstract

Обгрунтований новий метод компенсації систематичної похибки вимірювання температури, обумовленої відбитим від поверхні зони плавки випромінюванням електроду. Описаний алгоритм експериментальної оцінки перевищення температури поверхні рідкої фази над температурою плавлення кремнію. Представлено експериментально отримані криві розподілу яскравості вздовж вертикальної осі кристалу у сукупності послідовних кадрів.

Обоснованный новый метод компенсации систематической погрешности измерения температуры, обусловленной отраженным от поверхности зоны плавки излучением электрода. Описанный алгоритм экспериментальной оценки превышения температуры поверхности жидкой фазы над температурой плавления кремния. Представлены экспериментально полученные кривые распределения яркости вдоль вертикальной оси кристалла в совокупности последовательных кадров.

Justified new method to compensate for systematic errors in measuring the temperature of the surface caused by reflected radiation zone melting electrode. The algorithm experimental evaluation of the excess surface temperature of the liquid phase on the melting point of silicon. The experimental curves obtained brightness distribution along the vertical axis of the crystal together consecutive shots.